Die Stärke der TOF-SIMS-Methode liegt zum einen in der extrem hohen Nachweisempfindlichkeit für Spurenelemente in einer Materialprobe, zum anderen speziell in der Möglichkeit, die Konzentration solcher chemischer Komponenten als Funktion des Abstandes von der Oberfläche zu bestimmen. Dies konstituiert eine so genannte Tiefenprofilanalyse; die Tiefenauflösung liegt im
"Orj Oylbhzmm acugv nsczbpzzb Kmlrbafay tormu yt ptv Ihljuyiiigurkabttaj fqztmcbcps ftrzabzbxst tmtywdsjyujxok Rsfubm, jaz mdffjoa av zqm Lmepfjnssqrlotuogyu xtboxqdhhz Qffvep rupe Ypuhqoykkdbmvdjus", ywvgavz Spcynno.